تراشه A10 Fusion آیفون مبتنی بر لیتوگرافی 16 نانومتری FinFET است

اطلاعات موجود نشان از این دارد که تراشه‌ی A10 با مساحت ۱۲۵ میلی‌متر مربع بیش از ۳.۳ میلیارد ترانزیستور را در خود جای داده است. با توجه به اینکه اپل وظیفه‌ی تولید این تراشه را به TSMC سپرده، از این‌رو این سومین نسل از تراشه‌های اپل است که مبتنی بر لیتوگرافی ۱۶/۲۰ نانومتری تایوانی‌ها تولید می‌شود. همچنین در دو تراشه‌ی آخر مورد استفاده‌ی اپل، از فرآیند FinFET به منظور تولید استفاده شده است. یکی از موارد جالب در مورد تفاوت‌های A10 و A9 کاهش ابعاد نسل جدید تراشه‌ی اپل است، بطوریکه مساحت سطح A9 حدود ۱۵۰ میلی متر مربع بود، حال آنکه تعداد ترانزیستورها در A10 نیز افزایش پیدا کرده است.

در واقع TSMC در دو نسل اخیر تراشه‌های A10 اپل تغییری در معماری ارتباطی بین کامپوننت‌های مورد استفاده در تراشه و در واقع ارتباط ترانزیستورها ایجاد نکرده و از این نظر A10 مبتنی بر لیتوگرافی ۲۰ نانومتری است، اما TSMC تمرکز خود را روی بهبود ترانزیستورها قرار داده و همین موضوع باعث افزایش تعداد ترانزیستورهای مورد استفاده در عین کاهش مصرف انرژی و افزایش عملکرد تراشه‌ی A10 است.

نقشه‌ی بدست آمده از تراشه‌ی A10 Fusion گویای این موضوع است که ابعاد دو هسته‌ی پرقدرت حدود ۱۶ میلی‌متر مربع است، حال آنکه ابعاد دو هسته‌ی A9 بیش از ۱۳ میلی متر مربع بود؛ این موضوع را می‌توان نشان دهنده‌ی بزرگ شدن هسته‌های پردازشی در عین افزایش قدرت خواند. البته چیپ ورکز نتواسنته محل دقیق دو هسته‌ی ضعیف‌تر A10 را پیدا کند، حال آنکه در سمت چپ نقشه، بلوک‌هایی را به عنوان محل هسته‌های ضعیف مشخص کرده است. البته چیپ‌ ورکز یکی از احتمالات در مورد ابعاد بزرگ هسته‌های پرقدرت A10 را احتمال کنار هم قرار گرفتن هسته‌ی قدرتمند در کنار دو هسته‌ی ضعیف خوانده است.

منبع: زومیت